Các hạn chế xuất khẩu mới liên quan đến các công cụ sản xuất chip có thể được sử dụng để tạo ra chip với bóng bán dẫn gate-all-around (GAA FET), chế tạo chip bằng cách sử dụng thiết bị lắng đọng tiên tiến, thiết bị cần thiết để xây dựng máy tính lượng tử và các công cụ cần thiết để sản xuất các hợp kim kim loại tinh vi.
"Hành động hôm nay đảm bảo rằng các biện pháp kiểm soát xuất khẩu quốc gia của chúng tôi theo kịp các công nghệ đang phát triển nhanh chóng và hiệu quả hơn khi chúng tôi phối hợp với các đối tác quốc tế", ông Alan Estevez, Thứ trưởng Cục Công nghiệp và An ninh cho biết. "Việc điều chỉnh các biện pháp kiểm soát của chúng tôi đối với công nghệ lượng tử và các công nghệ tiên tiến khác sẽ khiến các đối thủ của chúng tôi gặp khó khăn hơn đáng kể trong việc phát triển và triển khai các công nghệ này theo những cách thức đe dọa an ninh chung của chúng tôi."
Tài liệu này là một quy tắc cuối cùng tạm thời (IFR), có 60 ngày để thảo luận và sau đó sẽ được áp dụng.
Hoa Kỳ đã yêu cầu các nhà sản xuất công cụ sản xuất chip phải xin giấy phép xuất khẩu nếu họ có kế hoạch xuất khẩu thiết bị có thể cho phép các thực thể Trung Quốc chế tạo chip logic trên công nghệ quy trình 14nm/16nm với bóng bán dẫn FinFET, chip DRAM có nửa bước sóng 18nm trở xuống, và 3D NAND với 128 lớp trở lên.
Các quy tắc mới tiếp tục hạn chế xuất khẩu 'công nghệ' có thể cho phép các nhà sản xuất chip ở Trung Quốc và các quốc gia đáng quan ngại khác chế tạo chip với bóng bán dẫn GAA.
Các quy tắc liên quan đến bóng bán dẫn GAA phù hợp với các quy tắc được triển khai trên các công nghệ bán dẫn FinFET, nhưng ngôn ngữ thì khác.
Các quy tắc mới không chỉ bao gồm các công cụ cần thiết để sản xuất chip có bóng bán dẫn gate-all-around mà còn bao gồm các công nghệ cần thiết để phát triển chip GAA hoặc nút sản xuất. Điều này có nghĩa là bất kỳ quy trình, công thức quy trình, thiết kế hoặc kiến thức nào liên quan đến bóng bán dẫn GAA giờ đây đều phải tuân theo các biện pháp kiểm soát xuất khẩu.
Do đó, các thực thể Trung Quốc hiện cần có sự chấp thuận của chính phủ Hoa Kỳ để phát triển các nút sản xuất có GAA FET bằng cách sử dụng công nghệ hoặc thiết kế chip của Mỹ cho các nút sản xuất dựa trên các bóng bán dẫn như vậy để được sản xuất bởi bên thứ ba (ví dụ: Intel Foundry, Samsung Foundry, TSMC).
Mặc dù Hoa Kỳ hạn chế xuất khẩu công nghệ GAA sang các quốc gia gây ra rủi ro an ninh (tức là Trung Quốc, Nga, Iran, Triều Tiên, v.v.), nhưng các quy tắc cho phép một số linh hoạt để hợp tác với các đồng minh thông qua các ngoại lệ về giấy phép đối với các quốc gia đã thực hiện các biện pháp kiểm soát kỹ thuật tương tự.
Điều này cho phép các công ty Hoa Kỳ tiếp tục hợp tác với các đối tác quốc tế đáng tin cậy về công nghệ và sản phẩm liên quan đến GAA.
Ví dụ: Apple sẽ không cần phải xin giấy phép xuất khẩu để sản xuất bộ xử lý thế hệ tiếp theo của mình tại TSMC ở Đài Loan khi xưởng đúc này áp dụng bóng bán dẫn gate-all-around dạng tấm nano vào nửa cuối năm 2025 (họ cũng sẽ không cần giấy phép xuất khẩu để làm việc với TSMC trên các con chip phù hợp trước đó) với điều kiện Đài Loan thực hiện các quy tắc xuất khẩu tương tự.
Trong khi các quy tắc xuất khẩu được áp dụng vào năm ngoái nhắm mục tiêu vào các công nghệ và khả năng quy trình cụ thể, thì chúng chưa bao giờ nhắm mục tiêu vào các loại công cụ cụ thể.
Các quy tắc áp đặt các biện pháp kiểm soát xuất khẩu đối với các công cụ được sử dụng cho các công cụ kết tinh lớp nguyên tử (ALE) và lắng đọng lớp nguyên tử (ALD) - bao gồm lắng đọng wafer hóa học (CVD) và thiết bị lắng đọng chọn lọc - được sử dụng rộng rãi để tạo ra logic, bộ nhớ, analog và các ứng dụng RF.